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2N6123中文资料PDF规格书

2N6123
厂商型号

2N6123

参数属性

2N6123 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 80V 4A TO220-3

功能描述

40 WATT NPN SILICON POWER

文件大小

114.73 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 17:32:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N6123

  • 别名:

    2N6123三极管、2N6123晶体管、2N6123晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    >2.5MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD243B,BD537,BD539B,BD599,BD609,BD951,3DD64C,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    2500100

  • atest:

    4

  • wtest:

    40

2N6123规格书详情

40 WATT NPN SILICON POWER

● PD . . . 40 W

● VCE(sat) . . . 0.6 V (MAX) @ IC = 1.5 A

● hFE . . . 25-100 @ IC = 1.5 A (2N6121, 2N6122), 20-80 @ IC = 1.5 A (2N6123)

● PNP COMPLEMENT . . . 2N6124, 2N6125, 2N6126

产品属性

  • 产品编号:

    2N6123 PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.4V @ 1A,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 1.5A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    2.5MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 4A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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