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2N60G-TMA-T	文件：280.65 Kbytes Page：7 Pages	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60G-TMA-T	文件：294.8 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60G-TMA-T	文件：304.09 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60G-TMA-T	文件：245.73 Kbytes Page：6 Pages	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60	文件：142.66 Kbytes Page：8 Pages	2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60	文件：573.06 Kbytes Page：5 Pages	N2Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET Description TheET2N60N-CeannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. Features ●RDS(ON)=5.00Ω@VGS=10V ●Lowgatecharge	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd	ESTEK
2N60	文件：224.53 Kbytes Page：6 Pages	2Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET TheUTC2N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowerupplies,PWM	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60	文件：1.78132 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET Features ●RDS(ON)	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
2N60	文件：1.34834 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
2N60	文件：1.3597 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
2N60	文件：1.34734 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
2N60	文件：1.40358 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
2N60	文件：1.3527 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
2N60	文件：1.34768 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
2N60	文件：245.73 Kbytes Page：6 Pages	2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60	文件：1.99345 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N60	文件：201.04 Kbytes Page：2 Pages	2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●2A,600V,RDS(ON)=4Ω@VGS=10V/1A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
2N60	文件：2.84594 Mbytes Page：3 Pages	TO-251Plastic-EncapsulateMOSFET N-ChannelMOSFET Features ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ●IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
2N60	文件：450.29 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFET DESCRIPTION 2N602N65isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowersu	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
2N60	文件：391.03 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNell2N60isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof2A,fastswitchi	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI

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详细参数

型号：
2N60G-TMA-T
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	2N60G-TMA-T	UTC/友顺	2020+	TO251L	100000	原装现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2N60G-TMA-T	UTC/友顺	2022+	TO-251	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2N60G-TMA-T	UTC/友顺	2022+	TO-251	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2N60G-TN3-R	UTC	21+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市吉利鑫科技发展有限公司	2N60G-TN3-R	UTC/友顺	2022+	TO-252	79999		询价
深圳市智创诚芯电子科技有限公司	2N60G-TN3-R	UTC	22+	SOT223	25000	原装现货,价格优惠,假一罚十	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2N60G-TN3-R	UTC	20+	TO-252	2980	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	2N60G-TN3-R	UTC	2023+	SOT223	700000	柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分	询价
天津市博通航睿技术有限公司	2N60G-TN3-R	UTC	20+	SOT223	3080	全新原装实单必成	询价
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更多2N60G-TMA-T供应商更新时间2024-5-14 13:20:00

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