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2N6055

High Voltage / High Power / Small Signal Transistors

Semi Tech

海晨启半导体

2N6055_12

POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

文件:77.36 Kbytes 页数:3 Pages

COMSET

2N6055 PBFREE

Package:TO-204AA,TO-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 8A TO3

CENTRAL

晶体管资料

  • 型号:

    2N6055

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDV65,BDX63,BDX65,FH8C,MJ1000,MJ1001,TIP140,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    100

详细参数

  • 型号:

    2N6055

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 NPN Pwr Darlington

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

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