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2N6053分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6053

参数属性

2N6053 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

文件大小

77.38 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

COMSET

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数据手册

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更新时间

2026-1-17 22:59:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6053

  • 别名:

    2N6053三极管、2N6053晶体管、2N6053晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDV64,BDX62,BDX64,MJ900,TIP145,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    100

产品属性

  • 产品编号:

    2N6053

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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