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2N6052分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N6052
厂商型号

2N6052

参数属性

2N6052 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

功能描述

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

封装外壳

TO-204AA,TO-3

文件大小

190.17 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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2N6052规格书详情

2N6052属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的2N6052晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

. . . designed for general−purpose amplifier and low frequency switching applications.

• High DC Current Gain —

hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc

• Collector−Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6058

100 Vdc (Min) — 2N6052, 2N6059

• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors

• These devices are available in Pb−free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb−free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb−free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N6052

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 120mA,12A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 6A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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