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2N6041分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6041

参数属性

2N6041 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-220-3

文件大小

174.34 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-11-3 17:46:00

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2N6041规格书详情

Plastic medium−power complementary silicon transistors are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.

特性 Features

• High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 100 mAdc −

VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 2N6040, 2N6043

= 100 Vdc (Min) − 2N6042, 2N6045

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc − 2N6043,44

= 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc − 2N6042, 2N6045

• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

Machine Model, C > 400 V

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

产品属性

  • 产品编号:

    2N6041 PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 16mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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