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2N6040	文件：265.81 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6040and2N6043SeriestypesareComplementarySiliconPowerTransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N6040	文件：94.72 Kbytes Page：6 Pages	PlasticMedium?뭁owerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6040	文件：114.69 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6040	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N6040	文件：205.87 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. FEATURES: •Collector–EmitterSustainingVoltage- VCEO(sus)=60V(Min)–2N6040,2N6043 =80V(Min)–2N6041,2N6044	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
2N6040	文件：174.34 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS Plasticmedium−powercomplementarysilicontransistorsaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@100mAdc− VCEO(sus)=60Vdc(M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6040	文件：199.38 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(10A,80W) ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. FEATURES: •Collector–EmitterSustainingVoltage- VCEO(sus)=60V(Min)–2N6040,2N6043 =80V(Min)–2N6041,2N6044 =100V(Min)–2N6042,2N6045 •Collecto	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC

产品属性

产品编号：
2N6040G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 16mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP DARL 60V 8A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N6040G供应商更新时间2025-7-26 8:12:00

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