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2N6036分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6036

参数属性

2N6036 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO126

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

346.52 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

CENTRAL

中文名称

美国中央半导体

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更新时间

2026-2-9 20:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6036

  • 别名:

    2N6036三极管、2N6036晶体管、2N6036晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD262A,BD680,BD780,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    40

2N6036规格书详情

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6034, 2N6037 series devices are complementary silicon Darlington power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose amplifier and switching applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

产品属性

  • 产品编号:

    2N6036

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 2A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 4A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
22+
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100000
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