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2N5963分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N5963

参数属性

2N5963 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.05A TO92

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR
TRANS NPN 30V 0.05A TO92

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

62.68 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

Central

中文名称

美国中央半导体

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更新时间

2025-11-13 20:07:00

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2N5963规格书详情

2N5963属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美国中央半导体制造生产的2N5963晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5961 Series types are Epoxy Molded Silicon NPN Transistors manufactured by the epitaxial Planar Process designed for applications requiring extremely high gain (hFE) and low noise.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N5963 PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1200 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.05A TO92

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