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2N5961分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N5961

参数属性

2N5961 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

62.68 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

CENTRAL

中文名称

美国中央半导体

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更新时间

2026-2-10 10:35:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N5961

  • 别名:

    2N5961三极管、2N5961晶体管、2N5961晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)_低噪放大 (ra)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC174,BC182,BC190,BC546,3DG110C,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

    β>150

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0.625

2N5961规格书详情

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5961 Series types are Epoxy Molded Silicon NPN Transistors manufactured by the epitaxial Planar Process designed for applications requiring extremely high gain (hFE) and low noise.

产品属性

  • 产品编号:

    2N5961

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 10mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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