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2N5830	文件：193.8 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALHIGHVOLTAGEGENERALPURPOSEAMPLIFIERS NPNSMALLSIGNALHIGHVOLTAGEGENERALPURPOSEAMPLIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5830	文件：297.37 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5830	文件：50.03 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION 2N5830and2N5831areNPNsiliconplanartransistorsdesignedforsmallsignalhighvoltagegeneralpurposeamplifiers.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N5830	文件：24.94 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltageamplifiersandgasdischargedisplaydriving.SourcedfromProcess16.See2N5551forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
2N5830_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2N5830_Q供应商更新时间2025-5-23 10:31:00

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