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2N5730中文资料Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin TO-59数据手册NJS规格书

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厂商型号

2N5730

参数属性

2N5730 封装/外壳为TO-210AA,TO-59-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin TO-59

封装外壳

TO-210AA,TO-59-4,接线柱

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-23 9:38:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2N5730

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Power Dissipation

    :45000mW

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :5V

  • Maximum DC Collector Current

    :10A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :80V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :1.2@0.5mA@2mAV

  • Configuration

    :Single

  • Category

    :Bipolar Power

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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