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2N5684数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N5684

参数属性

2N5684 封装/外壳为TO-204AE;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 50A TO204

功能描述

50 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor
TRANS PNP 80V 50A TO204

封装外壳

TO-204AE

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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2N5684规格书详情

描述 Description

The Power 50A 80 VBipolar NPN Transistor is designed for use in high power amplifier and switching circuit applications.

特性 Features

• High Current Capability - IC Continuous = 50 Amperes.
• DC Current Gain - hFE = 15-60 @ IC = 25 Adc
• Low Collector?Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 25 Adc
• Pb-Free Packages are Available

简介

2N5684属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N5684晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N5684

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :50

  • VCEO Min (V)

    :80

  • VCBO (V)

    :80

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :2

  • VBE(on) (V)

    :2

  • hFE Min

    :15

  • hFE Max

    :60

  • fT Min (MHz)

    :2

  • PTM Max (W)

    :300

  • Package Type

    :TO-204-2/TO-3-2

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