2N5684数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
2N5684 |
参数属性 | 2N5684 封装/外壳为TO-204AE;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 50A TO204 |
功能描述 | 50 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor |
封装外壳 | TO-204AE |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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2N5684规格书详情
描述 Description
The Power 50A 80 VBipolar NPN Transistor is designed for use in high power amplifier and switching circuit applications.
特性 Features
• High Current Capability - IC Continuous = 50 Amperes.
• DC Current Gain - hFE = 15-60 @ IC = 25 Adc
• Low Collector?Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 25 Adc
• Pb-Free Packages are Available
简介
2N5684属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N5684晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2N5684
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1
- IC Cont. (A)
:50
- VCEO Min (V)
:80
- VCBO (V)
:80
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:2
- VBE(on) (V)
:2
- hFE Min
:15
- hFE Max
:60
- fT Min (MHz)
:2
- PTM Max (W)
:300
- Package Type
:TO-204-2/TO-3-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO204 |
7350 |
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询价 | ||
MOSPEC |
22+ |
TO-3 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
MOT/ON |
专业铁帽 |
TO-3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
24+ |
TO-3 |
880000 |
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ON |
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TO-3 |
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TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
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MOTOROLA |
9713 |
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21+ |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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