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2N5661P

NPN Silicon Power 200V to 300V, 5A PIND Tested

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N5660, 2N5660U3, 2N5661, 2N5661U3, 2N5662 and 2N5663 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/454. The device packages for th

Microchip

微芯科技

2N5661P

Package:TO-213AA,TO-66-2;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

JAN2N5661

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/454

文件:63.27 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTX2N5661

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/454

文件:63.27 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTXV2N5661

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/454

文件:63.27 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    2N5661P

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/454

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 400mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    200nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 500mA,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N5661P供应商 更新时间2026-1-18 10:06:00