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2N5655分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N5655
厂商型号

2N5655

参数属性

2N5655 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO126

功能描述

POWER TRANSISTORS NPN SILICON
TRANS NPN 250V 0.5A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

176.71 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-21 23:14:00

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2N5655规格书详情

2N5655属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的2N5655晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

These devices are designed for use in line−operated equipment such as audio output amplifiers; low−current, high−voltage converters; and AC line relays.

Features

• Excellent DC Current Gain − hFE = 30−250 @ IC = 100 mAdc

• Current−Gain − Bandwidth Product − fT = 10 MHz (Min) @ IC = 50 mAdc

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N5655

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    10V @ 100mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 100mA,10mV

  • 频率 - 跃迁:

    10MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 250V 0.5A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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