2N5655分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2N5655 |
参数属性 | 2N5655 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO126 |
功能描述 | POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
文件大小 |
176.71 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-8 23:00:00 |
人工找货 | 2N5655价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2N5655规格书详情
2N5655属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的2N5655晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
These devices are designed for use in line−operated equipment such as audio output amplifiers; low−current, high−voltage converters; and AC line relays.
特性 Features
• Excellent DC Current Gain − hFE = 30−250 @ IC = 100 mAdc
• Current−Gain − Bandwidth Product − fT = 10 MHz (Min) @ IC = 50 mAdc
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号:
2N5655
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
10V @ 100mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 100mA,10mV
- 频率 - 跃迁:
10MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS NPN 250V 0.5A TO126
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
ST |
SOT-32 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ONSemiconductor |
24+ |
TO-225-3 |
1715 |
询价 | |||
ST |
2025+ |
SOT-32 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
MOT |
23+ |
TO-126 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-225 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |