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2N5643中文资料ASI数据手册PDF规格书

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厂商型号

2N5643

功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件大小

14.31 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

ASI

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数据手册

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更新时间

2026-2-5 16:05:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N5643

  • 别名:

    2N5643三极管、2N5643晶体管、2N5643晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    甚高频 (VHF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    65V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    175MHZ

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

    BLW25,BLY94,2G730C,2SC2889C,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    G-127

  • vtest:

    65

  • htest:

    175000000

  • atest:

    5

  • wtest:

    40

2N5643规格书详情

DESCRIPTION:

The ASI 2N5643 is Designed for wideband large-signal amplifier stages in the 125 – 175 MHz range.

FEATURES:

• Minimum Gain = 7.6 dB

• Output Power = 40 W

• Omnigold™ Metalization System

产品属性

  • 型号:

    2N5643

  • 功能描述:

    射频双极电源晶体管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作频率:

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    4 V

  • 集电极连续电流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封装/箱体:

    Case 211-11

  • 封装:

    Tray

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ASI
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