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2N5601中文资料PDF规格书

2N5601
厂商型号

2N5601

参数属性

2N5601 封装/外壳为TO-213AA,TO-66-2;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

Silicon PNP Power Transistors

文件大小

125.59 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
企业简称

JMNIC泉州锦美

中文名称

泉州锦美电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-11 18:51:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N5601

  • 别名:

    2N5601三极管、2N5601晶体管、2N5601晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    >60MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BD242B,BD580,CA72F,CA73F,2SA1078,2SA1079,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-8

  • vtest:

    100

  • htest:

    60000100

  • atest:

    2

  • wtest:

    20

2N5601规格书详情

DESCRIPTION

• With TO-66 package

• Excellent safe operating area

• Low collector-emitter saturation voltage

APPLICATIONS

• For high frequency power amplifier ; audio power amplifier and drivers.

产品属性

  • 产品编号:

    2N5601

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    850mV @ 200µA, 1mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

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