2N5600中文资料PDF规格书
厂商型号 |
2N5600 |
参数属性 | 2N5600 封装/外壳为TO-213AA,TO-66-2;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:POWER BJT |
功能描述 | Silicon NPN Power Transistors |
文件大小 |
127.23 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-25 15:00:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
2N5600三极管、2N5600晶体管、2N5600晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
2A
- 最大工作频率:
>50MHZ
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
BD241B,BD579,2SC2528,2SC2529,3DK03D,
- 最大耗散功率:
20W
- 放大倍数:
- 图片代号:
E-8
- vtest:
100
- htest:
50000100
- atest:
2
- wtest:
20
2N5600规格书详情
DESCRIPTION
• Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.75V(Max.)@ IC= -4A
• DC Current Gain- : hFE= 20-80 @IC= -4A
APPLICATIONS
• Designed for general purpose use in power amplifier and switching circuits.
产品属性
- 产品编号:
2N5600
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-213AA,TO-66-2
- 供应商器件封装:
TO-66(TO-213AA)
- 描述:
POWER BJT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
24+ |
TO-213AA,TO-66-2 |
9350 |
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询价 | ||
MOT/RCA |
02+ |
TO-66 |
253 |
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RENESAS |
2020+ |
TO-92L |
16800 |
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RENESAS |
2020+ |
TO-92L |
300000 |
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TOSHIBA |
23+ |
TO-92L |
11000 |
全新原装 |
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TO-3 |
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ISC/固电 |
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TO-66 |
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ISC |
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日立 |
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TO-92L |
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