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2N5560中文资料PNP Transistor数据手册Microchip规格书

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厂商型号

2N5560

参数属性

2N5560 封装/外壳为TO-211MB,TO-63-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

PNP Transistor
POWER BJT

封装外壳

TO-211MB,TO-63-4,接线柱

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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2N5560规格书详情

简介

2N5560属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N5560晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N5560

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-211MB,TO-63-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-63

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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