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2N5551T数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N5551T

参数属性

2N5551T 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

功能描述

Small Signal NPN Bipolar Transistor
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:56:00

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2N5551T规格书详情

描述 Description

The High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.

特性 Features

• Pb-Free Packages are Available
• -

应用 Application

• General purpose high voltage amplifiers
• Gas discharge display drivers
• -

简介

2N5551T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N5551T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N5551TAR

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

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