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2N5416L

Transistor GP BJT PNP 3-Pin 300V, 1A, 0.75W TO-5 Bag

This family of 2N5415 and 2N5416 epitaxial planar PNP transistors are military qualified up to a JANS level for high-reliability applications. These transistors are available in a TO-205AD (TO-39) and low profile surfacemount U4, U4 and UA packaging. JEDEC registered 2N5415 through 2N5416 series.JANHC, JANKC, JAN, JANTX, JANTXV, and JANS qualifications are available per MIL-PRF-19500/485\n(See part nomenclature for all available options.) RoHS compliant\nGeneral purpose transistors for low power applications requiring high frequency switching\nL;

Microchip

微芯科技

2N5416L

Package:TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

Microchip

微芯科技

2N5416S

PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/485

文件:67.52 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

JAN2N5416

PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/485

文件:67.52 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

JAN2N5416S

PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/485

文件:67.52 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    2N5416L

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/485

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AA,TO-5-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-5

  • 描述:

    POWER BJT

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更多2N5416L供应商 更新时间2025-11-23 8:01:00