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2N5401	文件：144.03 Kbytes Page：5 Pages	AMPLIFIERTRANSISTORPNPSILICON PNPSilicon	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
2N5401	文件：30.7 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5401	文件：83.66 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5401	文件：51.31 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2N5401isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •ComplementstoNPNType2N5551. •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage.VCEO=150V(@IC=1mA)	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2N5401	文件：166.71 Kbytes Page：1 Pages	PNPTransistorPlastic-EncapsulateTransistors PNPTransistorPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerDissipation PCM:0.625W(Tamb=25) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N5401	文件：106.86 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
2N5401	文件：67.35 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TO-92Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURE Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N5401	文件：343.07 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N5401	文件：213.52 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeamplifierapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2N5401	文件：136.42 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE Switchingandamplificationinhighvoltage Applicationssuchastelephony Lowcurrent(max.600mA) Highvoltage(max.160v)	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA

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详细参数

型号：
2N5401TAR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N5401TAR_Q供应商更新时间2025-5-16 15:00:00

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