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2N5400S数据手册KEC中文资料规格书

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厂商型号

2N5400S

功能描述

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

制造商

KEC KEC CORPORATION

中文名称

KEC株式会社

数据手册

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更新时间

2025-8-15 22:58:00

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2N5400S规格书详情

描述 Description

GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.FEATURES
• High Collector Breakdwon Voltage
   : VCBO=-130V, VCEO=-120V
• Low Leakage Current.
   : ICBO=-100nA(Max.) @VCB=-100V
• Low Saturation Voltage
   : VCE(sat)=-0.5V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA
• Low Noise : NF=8dB (Max.)

特性 Features

• High Collector Breakdwon Voltage
   : VCBO=-130V, VCEO=-120V
• Low Leakage Current.
   : ICBO=-100nA(Max.) @VCB=-100V
• Low Saturation Voltage
   : VCE(sat)=-0.5V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA
• Low Noise : NF=8dB (Max.)

技术参数

  • 型号:

    2N5400S

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全称:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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