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2N5366	文件：158.93 Kbytes Page：1 Pages	SPRINGFIELD,NEWJERSEY07091 SignalTransistor SiliconDarlingtonTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5366	文件：124.56 Kbytes Page：1 Pages	SILICONTRANSISTOR NPN-PNPSiliconPowerTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5366	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N5366	文件：218.03 Kbytes Page：5 Pages	SILICONTRANSISTORS SiliconTransistors	GESS GE Solid State	GESS
2N5366	文件：60.81 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifiersapplicationsatcollectorcurrentsto300mA. •Sourcedfromprocess68.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H2N5366	文件：35.59 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N5366isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •Thisdevicewasdesignedforuseasgeneralpurposeamplifierandswitches.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

详细参数

型号：
2N5366_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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