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2N5339P

NPN Silicon Switching 100V, 5A PIND Tested

This specification covers the performance requirements for NPN silicon switching, 2N5339 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500/560 and two levels of product assurance (JANHC and JANKC)

Microchip

微芯科技

2N5339P

Package:TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

Microchip

微芯科技

2N5339X

NPN SILICON TRANSISTORS

文件:27.16 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N5339X

NPN SILICON TRANSISTORS

文件:15.53 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

JANS2N5339

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:184.24 Kbytes 页数:4 Pages

Microsemi

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    2N5339P

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/560

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 2A,2V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    POWER BJT

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更多2N5339P供应商 更新时间2025-10-13 11:06:00