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2N5339_1

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:103.42 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N5339LCC4

NPN SILICON TRANSISTORS

文件:27.81 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N5339U3

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:103.42 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N5339X

NPN SILICON TRANSISTORS

文件:27.16 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N5339X

NPN SILICON TRANSISTORS

文件:15.53 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N5339P

NPN Silicon Switching 100V, 5A PIND Tested

This specification covers the performance requirements for NPN silicon switching, 2N5339 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500/560 and two levels of product assurance (JANHC and JANKC)

Microchip

微芯科技

2N5339U3

NPN Transistor

FEATURES: ? PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/561

Microchip

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N5339

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFT33,BFT34,BUX34,BUY80,2N4895,2N4896,2N4897,3DK12B,

  • 最大耗散功率:

    6W

  • 放大倍数:

    β>60

  • 图片代号:

    C-62

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    6

产品属性

  • 产品编号:

    2N5339

  • 制造商:

    Solid State Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AA,TO-5-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-5

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 5A TO5

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更多2N5339供应商 更新时间2026-1-17 11:43:00