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2N5306	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N5306	文件：58.78 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5306	文件：120.44 Kbytes Page：1 Pages	SILICONTRANSISTORS SignalTransistor SiliconDarlingtonTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5306	文件：97.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5306,2N5308typesareNPNSiliconEPitaxialPlanarDarlingtonTransistorsdesignedforhighgainamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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2N5306	文件：23.63 Kbytes Page：2 Pages	NPNDarlingtonTransistor NPNDarlingtonTransistor •Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgainatcurrentsto1.0A. •Sourcedfromprocess05. •SeeMPSA14forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
2N5306_Q
功能描述：
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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