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2N5192分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N5192

参数属性

2N5192 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 4A SOT32-3

功能描述

MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS
TRANS NPN 80V 4A SOT32-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

65.34 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-20 12:00:00

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2N5192规格书详情

2N5192属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的2N5192晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

描述 Description

The devices are manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP type of 2N5192 is 2N5195.

特性 Features

■ NPN transistors

Applications

■ Linear and switching industrial equipment

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N5192

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.4V @ 1A,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 1.5A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    2MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 4A SOT32-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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