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2N5087	文件：58.65 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforlowlevel,highgain,lownoisegeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto50mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5087	文件：300.76 Kbytes Page：8 Pages	CASE29.04,STYLE1TO-92(TO-226AA) AmplifierTransistor(PNPSilicon)	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
2N5087	文件：49.04 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackageNPNcomplement:2N5088. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.50V). APPLICATIONS •Lownoisestagesinaudioequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N5087	文件：300.76 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistor(PNPSilicon) AmplifierTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5087RLRAG	文件：156.05 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistorPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
H2N5087	文件：39.23 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Thisdevicewasdesignedforlownoise,highgain,generalpurposeamplifierapplicationsfor1uAto25mAcollectorcurrent.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
ST2N5087	文件：359.29 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitDCcurrentgain.Ascomplementary typetheNPNtransistorST2N5088andST 2N5089arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe ma	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

产品属性

产品编号：
2N5087G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 100µA，5V
频率 - 跃迁：
40MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 50V 0.05A TO92

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