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2N4957 | Type 2N4957 Geometry 0006 Polarity PNP Chip type 2C4957 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Features: Special Characteristics ft = 1.6 GHz (typ) at 2.0 mA/10V APPLICATIONS: Designed for high-gain, low-noise class A amplifiers, oscillators and mixers. 文件：43.82 Kbytes 页数：2 Pages | SEMICOA | SEMICOA | |
2N4957 | TO-72 PNP Silicon Transistors 文件：68.32 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N4957 | PNP SILICON ANNULAR SMALL-SIGNAL PNP silicon annular small-signal RF transistor designed for high-gain, low-noise amplifier, oscillator, and mixer applications. 文件：156.71 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N4957 | Silicon PNP Transistor 文件：216.24 Kbytes 页数：2 Pages | SEMICOA | SEMICOA | |
2N4957 | Chip Type 2C4957 Geometry 0006 Polarity PNP 文件：29.82 Kbytes 页数：1 Pages | SEMICOA | SEMICOA | |
2N4957 | PNP Transistor The 2N4957 is a military qualified silicon PNP amplifier transistor designed for VHF-UHF equipment and other high-reliability applications. Common applications include high gain low noise amplifier; oscillator, and mixer applications. It is also available in a low-profile UB surface mount package. | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
2N4957 | Package：TO-72-3 金属罐；包装：带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
Type 2N4957UB Geometry 0006 Polarity PNP Chip type 2C4957 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Features: Special Characteristics ft = 1.6 GHz (typ) at 2.0 mA/10V APPLICATIONS: Designed for high-gain, low-noise class A amplifiers, oscillators and mixers. 文件：67.46 Kbytes 页数：2 Pages | SEMICOA | SEMICOA | ||
Silicon PNP Transistor 文件：216.24 Kbytes 页数：2 Pages | SEMICOA | SEMICOA | ||
Chip Type 2C4957 Geometry 0006 Polarity PNP 文件：29.82 Kbytes 页数：1 Pages | SEMICOA | SEMICOA |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
超高频/特高频 （UHF）_低噪放大 （ra）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
30V
- 最大电流允许值：
0.03A
- 最大工作频率：
1.5GHZ
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
BF272,BF316,BF372,BF439,BF516,BF606,BFR38,BFR99,3CG114B,
- 最大耗散功率：
0.2W
- 放大倍数：
- 图片代号：
D-13
- vtest：
30
- htest：
1500000000
- atest：
0.03
- wtest：
0.2
产品属性
- 产品编号：
2N4957
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3.5dB @ 450MHz
- 增益：
25dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-72-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-72
- 描述：
RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
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