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PNP POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 5.0 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 40-80 Volts 87.5 Watts 文件：157.33 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 5.0 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 40-80 Volts 87.5 Watts 文件：87.56 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N5067/5068/5069 • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：112.35 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
NPN NPN 文件：139.36 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON TRANSITORS 5.0 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 40-80 Volts 87.5 Watts 文件：175.73 Kbytes 页数：4 Pages | boca 博卡 | boca | ||
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS
文件：96.18 Kbytes 页数：1 Pages | Central | Central | ||
POWER TRANSISTORS(5.0A,87.5W) 5.0 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 40-80 Volts 87.5 Watts 文件：171.7 Kbytes 页数：4 Pages | MOSPEC 统懋 | MOSPEC | ||
PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE LF Large signal power amplification Switching medium current 文件：130.1 Kbytes 页数：3 Pages | COMSET | COMSET | ||
Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N5067/5068/5069 • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：131.12 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
250V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
>20MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BFT19A,BFT44,BFT45,MJ5415,MJ5416,2N5416,2SB606,3DA3F,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍数：
- 图片代号：
C-62
- vtest：
250
- htest：
20000100
- atest：
0.5
- wtest：
1
产品属性
- 产品编号：
2N4931
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 描述：
NPN SILICON TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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