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2N4403	文件：53.1 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedMultipleTransistors??QuadSurfaceMount(Case751B-SO-16)??NPN/PNP)	ALLIED Allied Components International	ALLIED
2N4403	文件：333.69 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor Generalpurposetransistor Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2N4403	文件：333.16 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N4403-AP	文件：180.3 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N4403B	文件：197.49 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VPOWER625mW FEATURES PNPepitaxialsilicon,planardesign Collector-emittervoltageVCE=-40V CollectorcurrentIC=-600mA Complimentary(NPN)device:2N4401 MECHANICALDATA Case:TO-92 Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ApproxWeight:0.02	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N4403-BP	文件：180.3 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N4403BU	文件：75.02 Kbytes Page：8 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforuseasageneral-purposeamplifierandswitchforcollectorcurrentsto500mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4403G	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors PNPsiliconplanarepitaxialtransistor Collector−EmitterVoltageVCEO40Vdc Collector−BaseVoltageVCBO40Vdc Emitter−BaseVoltageVEBO5.0Vdc CollectorCurrent−ContinuousIC600mAdc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4403G	文件：118.38 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4403R	文件：855.81 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFET FEATURES Powerdissipation	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
2N4403RL	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors PNPsiliconplanarepitaxialtransistor Collector−EmitterVoltageVCEO40Vdc Collector−BaseVoltageVCBO40Vdc Emitter−BaseVoltageVEBO5.0Vdc CollectorCurrent−ContinuousIC600mAdc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2N4403RLRP	文件：106.24 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors PNPsiliconplanarepitaxialtransistor Collector−EmitterVoltageVCEO40Vdc Collector−BaseVoltageVCBO40Vdc Emitter−BaseVoltageVEBO5.0Vdc CollectorCurrent−ContinuousIC600mAdc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2N4403RLRPG	文件：118.38 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4403SC	文件：353.79 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •Complementarytothe2N4401SC	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N4403T/B	文件：197.49 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VPOWER625mW FEATURES PNPepitaxialsilicon,planardesign Collector-emittervoltageVCE=-40V CollectorcurrentIC=-600mA Complimentary(NPN)device:2N4401 MECHANICALDATA Case:TO-92 Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ApproxWeight:0.02	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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产品属性

产品编号：
2N4403RLRM
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
750mV @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 40V 0.6A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N4403RLRM供应商更新时间2024-6-15 10:50:00

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