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2N4401	文件：153.64 Kbytes Page：6 Pages	NPNPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS 2N4400,4401NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS 2N4402,4403PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
2N4401	文件：122.5 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4401	文件：1.0119 Mbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°C+150°C	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2N4401	文件：215.23 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2N4401	文件：324.7 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistorPlastic-EncapsulateTransistors Features PowerDissipation	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N4401	文件：218.61 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalGeneralPurposeTransistors(NPN) SmallSignalGeneralPurposeTransistors(NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialTransistorforSwitchingandAmplifierApplications	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
2N4401	文件：588.66 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeSwitchingTransistors [multicomp] Features: •NPN/PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistors. •GeneralpurposeSwitchingApplications. •2N4401TypeNPN. •2N4403TypePNP.	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
2N4401	文件：202.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER625mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=600mA •Complimentary(PNP)device:2N4403 •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirective	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N4401	文件：93.3 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPuposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4401	文件：200.71 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
2N4401TFR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N4401TFR_Q供应商更新时间2025-7-29 11:00:00

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