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2N4401	文件：316.65 Kbytes Page：9 Pages	SmallSignalGeneralPurposeAmplifiers&Switchs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4401	文件：254.17 Kbytes Page：7 Pages	LowPowerBipolarTransistors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
2N4401	文件：117.57 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER ■DESCRIPTION TheUTC2N4401isdesignedforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N4401	文件：80.6 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof600mWattsofPowerDissipation •ThroughHolePackage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:Typenumber	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N4401	文件：212.75 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N4401	文件：52.62 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2N4401isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •Complementaryto2N4403. •HighPowerDissipation:625mWat25°C •HighDCCurrentGain:100-300at150mA •HighBreakdownVoltage:40VMin.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2N4401	文件：33.566 Kbytes Page：2 Pages	NPN通用放大器	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 PDF上传者：深圳市金亿隆电子科技有限公司	ETC
2N4401	文件：102.84 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtaped	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
2N4401	文件：66.34 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N4401	文件：96.87 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtaped	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec

详细参数

型号：
2N4401TA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N4401TA_Q供应商更新时间2025-5-20 14:35:00

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