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2N4400	文件：1.40857 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES GeneralPurposeAmplifierTransistor	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N4400	文件：424.17 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES •GeneralPurposeAmplifierTransistor	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N4400	文件：87.65 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Generalpurposetransistor CollectorEmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PC(max)=625mW Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N4400	文件：574.14 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N4400	文件：707.01 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N4400	文件：439.49 Kbytes Page：1 Pages	Amplifiers&Switches Amplifiers&Switches Bipolar:GeneralPurpose	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI
2N4400	文件：55.03 Kbytes Page：1 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor NPNGeneralPurposeTransistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
2N4400	文件：216.36 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONANNULARTRANSISTORS NPNSILICONANNULARTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N4400	文件：255.53 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto500mA •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N4400	文件：110.28 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •GeneralPurposeAmplifierTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
2N4400TA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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