2N4232A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
2N4232A规格书详情
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS
..designed for general-purpose power amplifier and switching applications.
FEATURES:
* Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A
* Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A
* LowLeakage Current- lcex =0.1 mA(Max)
产品属性
- 产品编号：
2N4232A
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MOT |
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