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2N4124	文件：81.46 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4124	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N4124	文件：85.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N4124	文件：747.86 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor625mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHoleTO-92Package •Capableof625mWattsofPowerDissipation •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Mois	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N4124	文件：210.18 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialTransistor forswitchingandamplifierapplications. ♦EspeciallysuitableforAF-driverand low-poweroutputstages. ♦Ascomplementarytype,thePNP transistor2N4126isrecommended.	GE GE Industrial Company	GE
2N4124	文件：93.55 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4124	文件：31.31 Kbytes Page：1 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=25V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
2N4124	文件：124.23 Kbytes Page：1 Pages	NPNSMALLSIGNALTRANSISTOR FEATURES ForGeneralPurposeSwitchingandAmplifier Applications EspeciallySuitableforAFDriverandLow PowerOutputStages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
2N4124	文件：48.87 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplement:2N4126. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.25V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification, e.g.small-signalaudio-frequencyapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N4124	文件：292.57 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.3V(Max)@IC=50mA APPLICATIONS ·Powerswitching ·GeneralPurposeAmplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
2N4124TAR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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