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2N4124	文件：292.57 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.3V(Max)@IC=50mA APPLICATIONS ·Powerswitching ·GeneralPurposeAmplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N4124	文件：165.13 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurpose	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
2N4124	文件：114.91 Kbytes Page：1 Pages	NPNSMALLSIGNALGENERALPURPOSEAMPLIFIERANDSWITCH NPNSMALLSIGNALGENERALPURPOSEAMPLIFIERANDSWITCH	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N4124	文件：367.25 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●HighTransitionFrequency	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N4124	文件：382.02 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N4124	文件：84.54 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSITORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N4124	文件：121.29 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4124	文件：321.49 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N4124	文件：83.77 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor 0.2A,30VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●HighDCCurrentGain ●HighTransitionFrequency	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N4124	文件：97.14 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
2N4124-BULKS
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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