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2N4123

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor625mW

Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHoleTO-92Package •Capableof625mWattsofPowerDissipation •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Mois

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

2N4123

NPNGeneralPurposeAmplifier

NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiers andswitchesrequiringcollectorcurrentsto100mA.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

2N4123

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

2N4123RLRM

GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    2N4123BU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 2mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.2A TO-92

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更多2N4123BU供应商 更新时间2025-5-15 17:34:00