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2N4123分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N4123
厂商型号

2N4123

参数属性

2N4123 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.2A TO92

功能描述

Small Signal Transistors
TRANS NPN 30V 0.2A TO92

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

56.42 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

CENTRAL

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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2N4123规格书详情

2N4123属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美国中央半导体制造生产的2N4123晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Small Signal Transistors

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N4123 PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 2mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.2A TO92

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