2N4119A分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N4119A |
| 参数属性 | 2N4119A 封装/外壳为TO-206AF，TO-72-4 金属罐；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-JFET；产品描述：MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF |
| 功能描述 | N-Channel JFETs |
| 封装外壳 | TO-206AF，TO-72-4 金属罐 |
| 文件大小 |
61.71 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Vishay Siliconix |
| 企业简称 |
VISHAY【威世科技】 |
| 中文名称 | 威世科技半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-5 22:30:00 |
| 人工找货 | 2N4119A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N4119A规格书详情
2N4119A属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由威世科技半导体制造生产的2N4119A晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。
DESCRIPTION
The 2N/PN/SST4117A series of n-channel JFETs provide ultra-high input impedance. These devices are specified with a 1-pA limit and typically operate at 0.2 pA. This makes them perfect choices for use as high-impedance sensitive front-end amplifiers.
FEATURES
● Ultra-Low Leakage: 0.2 pA
● Very Low Current/Voltage Operation
● Ultrahigh Input Impedance
● Low Noise
BENEFITS
● Insignificant Signal Loss/Error Voltage with High-Impedance Source
● Low Power Consumption (Battery)
● Maximum Signal Output, Low Noise
● High Sensitivity to Low-Level Signals
APPLICATIONS
● High-Impedance Transducer Amplifiers
● Smoke Detector Input
● Infrared Detector Amplifier
● Precision Test Equipment
产品属性
更多- 产品编号：
2N4119A
- 制造商：
Vishay Siliconix
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
- 包装：
卷带（TR）
- FET 类型：
N 通道
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
3pF @ 10V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-206AF，TO-72-4 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-206AF（TO-72）
- 描述：
MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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