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2N3906E	文件：96.94 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent:ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.)@VCE=-30V,VEB=-3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •LowCollectorOutputCapacitance:Cob=4.5pF	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906E	文件：392.46 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906G	文件：985.64 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2N3906G	文件：179.42 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3906G	文件：81.91 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3906-G	文件：85.07 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposetransistor Features -PNPsiliconepitaxialplanartransistorforswitchingandamplifierapplication. -Ascomplementarytype,theNPNtransistor2N3904-Gisrecommended. -ThistransistorisavailableintheSOT-23casewiththetypedesignationMMBT3906-G.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N3906N	文件：176.78 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollector-emittersaturationvoltage:0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA •Lowcollectoroutputcapacitance:4.5pF(Max.)@VCB=-5V,IE=0,f=1MHz •Complementarypairwith2N3904N	AUK AUK	AUK
2N3906RLRA	文件：81.91 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3906RLRA	文件：101.93 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2N3906RLRAG	文件：179.42 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3906RLRAG	文件：81.91 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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更多2N3906S-AL供应商更新时间2024-5-21 16:16:00

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