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2N3906-G	文件：85.07 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposetransistor Features -PNPsiliconepitaxialplanartransistorforswitchingandamplifierapplication. -Ascomplementarytype,theNPNtransistor2N3904-Gisrecommended. -ThistransistorisavailableintheSOT-23casewiththetypedesignationMMBT3906-G.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N3906-HF	文件：470.75 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Features -PNPsiliconepitaxialplanartransistorfor switchingandamplifierapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N3906N	文件：176.78 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollector-emittersaturationvoltage:0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA •Lowcollectoroutputcapacitance:4.5pF(Max.)@VCB=-5V,IE=0,f=1MHz •Complementarypairwith2N3904N	AUK AUK corp	AUK
2N3906RLRA	文件：179.42 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3906RLRA	文件：101.93 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2N3906RLRE	文件：101.93 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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