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2N3867S

Silicon PNP Power Transistors

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/350

文件:56.35 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

2N3867S

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

文件:121.29 Kbytes 页数:4 Pages

Microsemi

美高森美

2N3867SMD05

PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications Bipolar PNP Device. VCEO = 40V IC = 1A

文件:343.31 Kbytes 页数:3 Pages

TTELEC

2N3867SMD05

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed

文件:15.41 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N3867S

PNP Transistor

Microchip

微芯科技

2N3867S

包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 40V 0.003A TO39

Microchip

微芯科技

2N3867SMD05

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

产品属性

  • 产品编号:

    2N3867S

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 250mA,2.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 1.5A,2V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.003A TO39

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更多2N3867S供应商 更新时间2025-10-21 16:30:00