2N3866中文资料Central数据手册PDF规格书
厂商型号 |
2N3866 |
参数属性 | 2N3866 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.4A TO-39 |
功能描述 | NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt |
文件大小 |
665.86 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Central Semiconductor Corp |
企业简称 |
Central |
中文名称 | 美国中央半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-25 22:30:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
2N3866三极管、2N3866晶体管、2N3866晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
超高频/特高频 (UHF)_甚高频 (VHF)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
55V
- 最大电流允许值:
0.4A
- 最大工作频率:
400MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BFR97,BFS10,BFS22,BFS50,BFX33,3DA21B,
- 最大耗散功率:
>1W
- 放大倍数:
- 图片代号:
C-40
- vtest:
55
- htest:
400000000
- atest:
.4
- wtest:
1.0001
产品属性
- 产品编号:
2N3866
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 10mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
20µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
15 @ 50mA,5V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-39(TO-205AD)
- 描述:
TRANS NPN 30V 0.4A TO-39
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
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