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2N3859A中文资料PDF规格书

2N3859A
厂商型号

2N3859A

参数属性

2N3859A 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 0.5A TO92-3

功能描述

NPN General Purpose Amplifier

文件大小

22.57 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 8:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N3859A

  • 别名:

    2N3859A三极管、2N3859A晶体管、2N3859A晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    170MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC174,BC182,BC190,BC546,3DG121B,

  • 最大耗散功率:

    0.36W

  • 放大倍数:

    β>150

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    60

  • htest:

    170000000

  • atest:

    .1

  • wtest:

    .36

2N3859A规格书详情

NPN General Purpose Amplifier

• This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 300mA.

• Sourced from Process 10.

• See PN100 for characteristics.

产品属性

  • 产品编号:

    2N3859A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 0.5A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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