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2N3866分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N3866

参数属性

2N3866 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.4A TO-39

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
TRANS NPN 30V 0.4A TO-39

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

文件大小

331.25 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

MICROSEMI

中文名称

美高森美

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 22:30:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N3866(A)

  • 别名:

    2N3866三极管、2N3866晶体管、2N3866晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    超高频/特高频 (UHF)_甚高频 (VHF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    55V

  • 最大电流允许值:

    0.4A

  • 最大工作频率:

    400MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFR97,BFS10,BFS22,BFS50,BFX33,3DA21B,

  • 最大耗散功率:

    >1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    55

  • htest:

    400000000

  • atest:

    0.4

  • wtest:

    1.0001

2N3866规格书详情

2N3866属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美高森美半导体公司制造生产的2N3866晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N3866

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 50mA,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.4A TO-39

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