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2N3637数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N3637

参数属性

2N3637 包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS

功能描述

Trans GP BJT PNP 175V 1A 3-Pin TO-39

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2N3637

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Power Dissipation

    :1000mW

  • Maximum Operating Temperature

    :200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :5V

  • Maximum DC Collector Current

    :1A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :175V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :0.3@1mA@10mA|0.6@5mA@50mAV

  • Maximum Collector Base Voltage

    :175V

  • Material

    :Si

  • Configuration

    :Single

  • Category

    :Bipolar Power

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