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2N3636UB/TR

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:SMALL-SIGNAL BJT

MICROCHIP

微芯科技

JAN2N3636

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357

文件:57.89 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JAN2N3636L

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357

文件:57.89 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANS2N3636

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357

文件:57.89 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    2N3636UB/TR

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/357

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    UB

  • 描述:

    SMALL-SIGNAL BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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Microchip Technology
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更多2N3636UB/TR供应商 更新时间2026-2-9 11:06:00