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2N3499数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N3499

参数属性

2N3499 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO39

功能描述

Transistor GP BJT NPN 3-Pin 100V, 0.5A, 1000mW TO-39
TRANS NPN 100V 0.5A TO39

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:50:00

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2N3499规格书详情

描述 Description

This family of 2N3498 through 2N3501 epitaxial planar NPN transistors are military qualified up to a JANS level for high-reliability applications. These transistors are available in a TO-205AD (TO-39) ,no suffix, a TO-205AA (TO-5), L suffix and low profile surfacemount U4 and UB packaging. Microchip also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both throughhole and surface-mount packages.

特性 Features

JEDEC registered 2N3498 through 2N3501 series.JANHC, JANKC, JAN, JANTX, JANTXV, and JANS qualifications are available per MIL-PRF-19500/366
(See part nomenclature for all available options.) RoHS compliant versions available (commercial grade only)
General purpose transistors for medium power applications requiring high frequency switching and low package profile
Military and other high-reliability applications.

简介

2N3499属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N3499晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N3499

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 30mA,300mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 0.5A TO39

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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